等離子體溶液蝕刻
蝕刻工藝
: 電路圖案中只留下所需部分，不必要部分被切除的工序。
A-Si / 多晶硅 / SiO₂ / Si / SiO₂ 選擇性蝕刻 / SiON / Si3N4 / PAC / MoTi
蝕刻劑
艾青湖
Si3N4 layor on C-wafer
蝕刻劑
腐蝕後
等離子體溶液灰化
阿興工程 :光刻之後，去掉不必要的PR時
蝕刻劑
艾青湖
-丙酮處理後去除未去除的polymer殘留
Sample size: device size: 1mm*1mm (200개), design rule: 30㎛
蝕刻劑
艾青湖
丙酮處理後去除未去除的polymer殘留
Sample size: device size: 3mm*3mm , design rule:1㎛